Gekombineer met die uitgebreide prestasievoordele van tradisionele Al2O3- en BEO -substraatmateriaal, aluminium nitride (ALN) keramiek, wat 'n hoë termiese geleidingsvermoë het (monokristal se teoretiese termiese geleidingsvermoë is 275W/mgj ， Polycrystal se teoretiese termiese geleidingsvermoë, is 70 ~ 210W/mghoR), lae deelknoppie, termiese uitbreidings Koëffisiënt wat ooreenstem met enkelkristal silikon, en goeie elektriese isolasie -eienskappe, is 'n ideale materiaal vir kring -substrate en verpakking in die mikro -elektroniese industrie. Dit is ook 'n belangrike materiaal vir strukturele keramiekkomponente met 'n hoë temperatuur as gevolg van die goeie meganiese eienskappe van hoë temperatuur, termiese eienskappe en chemiese stabiliteit.

Die teoretiese digtheid van ALN ​​is 3,26 g/cm3, die MOHS-hardheid is 7-8, die kamertemperatuurweerstand is groter as 1016ωm, en die termiese ekspansiwiteit is 3,5 × 10-6/℃ (kamertemperatuur van 200 ℃). Suiwer ALN -keramiek is kleurloos en deursigtig, maar dit sou verskillende kleure wees soos grys, grys wit of liggeel, as gevolg van die onsuiwerhede.

Benewens hoë termiese geleidingsvermoë, het ALN -keramiek ook die volgende voordele:

1. Goeie elektriese isolasie;

2. Soortgelyke termiese uitbreidingskoëffisiënt met silikonmonokristal, beter as materiale soos Al2O3 en Beo;

3. hoë meganiese sterkte en soortgelyke buigsterkte met Al2O3 -keramiek;

4. matige diëlektriese konstante en diëlektriese verlies;

5. In vergelyking met Beo, word die termiese geleidingsvermoë van ALN ​​-keramiek minder beïnvloed deur temperatuur, veral meer as 200 ℃;

6. Hoë temperatuurweerstand en weerstand teen korrosie;

7. Nie-giftig;

8. word toegepas op die halfgeleierbedryf, chemiese metallurgiebedryf en ander industriële velde.