Combined with the comprehensive performance advantages of traditional Al2O3 and BeO substrate materials, Aluminum Nitride(AlN) ceramic, which has high thermal conductivity (monocrystal's theoretical thermal conductivity is 275W/m▪k，polycrystal's theoretical thermal conductivity is 70~210W/m▪k) , low dielectric constant, thermal expansion coefficient matched with single crystal Silicium en goede elektrische isolatie -eigenschappen, is een ideaal materiaal voor circuitsubstraten en verpakkingen in de micro -elektronica -industrie. Het is ook een belangrijk materiaal voor structurele keramische componenten op hoge temperatuur vanwege de goede mechanische eigenschappen met hoge temperatuur, thermische eigenschappen en chemische stabiliteit.

De theoretische dichtheid van ALN ​​is 3,26 g/cm3, de MOHS-hardheid is 7-8, de weerstand van de kamertemperatuur is groter dan 1016Ωm en de thermische expansiviteit is 3,5 x 10-6/℃ (kamertemperatuur van 200 ℃). Puur Aln -keramiek is kleurloos en transparant, maar het zouden verschillende kleuren zijn zoals grijs, grijsachtig wit of lichtgeel, vanwege de onzuiverheden.

Naast een hoge thermische geleidbaarheid heeft ALN Ceramics ook de volgende voordelen:

1. Goede elektrische isolatie;

2. Soortgelijke thermische expansiecoëfficiënt met siliciummonokristal, superieur aan materialen zoals Al2O3 en Beo;

3. Hoge mechanische sterkte en vergelijkbare buigsterkte met Al2O3 -keramiek;

4. Matig diëlektrische constante en diëlektrisch verlies;

5. Vergeleken met Beo wordt de thermische geleidbaarheid van ALN ​​-keramiek minder beïnvloed door temperatuur, vooral boven 200 ℃;

6. Weerstand op hoge temperatuur en corrosieweerstand;

7. Niet-giftig;

8. worden toegepast op de semiconductor -industrie, de chemische metallurgie -industrie en andere industriële velden.